中興禁購門讓國人意識到國產(chǎn)芯目前存在嚴重短板,缺乏核心技術(shù)就容易受制于人。為什么中國就造不好一顆CPU之類的芯片呢?究竟CPU是怎么制造出來的呢?
CPU是怎么制造出來的?
大家可能只知道制作IC芯片的硅來源于沙子,但是為什么沙子做的CPU卻賣那么貴?下面本文以intel電腦CPU作為例子,講述沙子到CPU簡要的生產(chǎn)工序流程,希望大家對CPU制作的過程有一個大體認識,其它CPU或者手機CPU制造原理也大抵相同。
CPU芯片(處理器)
一、硅圓片的制作
1.硅的重要來源:沙子
作為半導(dǎo)體材料,使用得最多的就是硅元素,其在地球表面的元素中儲量僅次于氧,含硅量在27.72%,其主要表現(xiàn)形式就是沙子(主要成分為二氧化硅),沙子里面就含有相當量的硅。因此硅作為IC制作的原材料最合適不過,想想看地球上有幾個浩瀚無垠的沙漠,來源既便宜又方便。
2.硅熔煉、提純
不過實際在IC產(chǎn)業(yè)中使用的硅純度要求必須高達99.999999999%。目前主要通過將二氧化硅與焦煤在1600-1800℃中,將二氧化硅還原成純度為98%的冶金級單質(zhì)硅,緊接著使用氯化氫提純出99.99%的多晶硅。雖然此時的硅純度已經(jīng)很高,但是其內(nèi)部混亂的晶體結(jié)構(gòu)并不適合半導(dǎo)體的制作,還需要經(jīng)過進一步提純、形成固定一致形態(tài)的單晶硅。
3.制備單晶硅錠
單晶的意思是指原子在三維空間中呈現(xiàn)規(guī)則有序的排列結(jié)構(gòu),而單晶硅擁有“金剛石結(jié)構(gòu)”,每個晶胞含有8個原子,其晶體結(jié)構(gòu)十分穩(wěn)定。
單晶硅的“金剛石”結(jié)構(gòu)
通常單晶硅錠都是采用直拉法制備,在仍是液體狀態(tài)的硅中加入一個籽晶,提供晶體生長的中心,通過適當?shù)臏囟瓤刂,就開始慢慢將晶體向上提升并且逐漸增大拉速,上升同時以一定速度繞提升軸旋轉(zhuǎn),以便將硅錠控制在所需直徑內(nèi)。結(jié)束時,只要提升單晶硅爐溫度,硅錠就會自動形成一個錐形尾部,制備就完成了,一次性產(chǎn)出的IC芯片更多。
制備好的單晶硅錠直徑約在300mm左右,重約100kg。而目前全球范圍內(nèi)都在生產(chǎn)直徑12寸的硅圓片,硅圓片尺寸越大,效益越高。
4.硅錠切片
將制備好的單晶硅錠一頭一尾切削掉,并且對其直徑修整至目標直徑,同時使用金剛石鋸把硅錠切割成一片片厚薄均勻的晶圓(1mm)。有時候為了定出硅圓片的晶體學(xué)取向,并適應(yīng)IC制作過程中的裝卸需要,會在硅錠邊緣切割出“取向平面”或“缺口”標記。
5.研磨硅圓片
切割后的晶圓其表面依然是不光滑的,需要經(jīng)過仔細的研磨,減少切割時造成的表面凹凸不平,期間會用到特殊的化學(xué)液體清洗晶圓表面,最后進行拋光研磨處理,還可以在進行熱處理,在硅圓片表面成為“無缺陷層”。一塊塊亮晶晶的硅圓片就這樣被制作出來,裝入特制固定盒中密封包裝。
制作完成的硅圓片
通常半導(dǎo)體IC廠商是不會自行生產(chǎn)這種晶圓,通常都是直接從硅圓片廠中直接采購回來進行后續(xù)生產(chǎn)。
二、前工程——制作帶有電路的芯片
6.涂抹光刻膠
買回來的硅圓片經(jīng)過檢查無破損后即可投入生產(chǎn)線上,前期可能還有各種成膜工藝,然后就進入到涂抹光刻膠環(huán)節(jié)。微影光刻工藝是一種圖形影印技術(shù),也是集成電路制造工藝中一項關(guān)鍵工藝。首先將光刻膠(感光性樹脂)滴在硅晶圓片上,通過高速旋轉(zhuǎn)均勻涂抹成光刻膠薄膜,并施加以適當?shù)臏囟裙袒饪棠z薄膜。
光刻膠是一種對光線、溫度、濕度十分敏感的材料,可以在光照后發(fā)生化學(xué)性質(zhì)的改變,這是整個工藝的基礎(chǔ)。
7.紫外線曝光
就單項技術(shù)工藝來說,光刻工藝環(huán)節(jié)是最為復(fù)雜的,成本最為高昂的。因為光刻模板、透鏡、光源共同決定了“印”在光刻膠上晶體管的尺寸大小。
將涂好光刻膠的晶圓放入步進重復(fù)曝光機的曝光裝置中進行掩模圖形的“復(fù)制”。掩模中有預(yù)先設(shè)計好的電路圖案,紫外線透過掩模經(jīng)過特制透鏡折射后,在光刻膠層上形成掩模中的電路圖案。一般來說在晶圓上得到的電路圖案是掩模上的圖案1/10、1/5、1/4,因此步進重復(fù)曝光機也稱為“縮小投影曝光裝置”。
一般來說,決定步進重復(fù)曝光機性能有兩大要素:一個是光的波長,另一個是透鏡的數(shù)值孔徑。如果想要縮小晶圓上的晶體管尺寸,就需要尋找能合理使用的波長更短的光(EUV,極紫外線)和數(shù)值孔徑更大的透鏡(受透鏡材質(zhì)影響,有極限值)。
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8.溶解部分光刻膠
對曝光后的晶圓進行顯影處理。以正光刻膠為例,噴射強堿性顯影液后,經(jīng)紫外光照射的光刻膠會發(fā)生化學(xué)反應(yīng),在堿溶液作用下發(fā)生化學(xué)反應(yīng),溶解于顯影液中,而未被照射到的光刻膠圖形則會完整保留。顯影完畢后,要對晶圓表面的進行沖洗,送入烘箱進行熱處理,蒸發(fā)水分以及固化光刻膠。
9.蝕刻
將晶圓浸入內(nèi)含蝕刻藥劑的特制刻蝕槽內(nèi),可以溶解掉暴露出來的晶圓部分,而剩下的光刻膠保護著不需要蝕刻的部分。期間施加超聲振動,加速去除晶圓表面附著的雜質(zhì),防止刻蝕產(chǎn)物在晶圓表面停留造成刻蝕不均勻。
10.清除光刻膠
通過氧等離子體對光刻膠進行灰化處理,去除所有光刻膠。此時就可以完成第一層設(shè)計好的電路圖案。
11.重復(fù)第6-8步
由于現(xiàn)在的晶體管已經(jīng)3D FinFET設(shè)計,不可能一次性就能制作出所需的圖形,需要重復(fù)第6-8步進行處理,中間還會有各種成膜工藝(絕緣膜、金屬膜)參與到其中,以獲得最終的3D晶體管。
12.離子注入
在特定的區(qū)域,有意識地導(dǎo)入特定雜質(zhì)的過程稱為“雜質(zhì)擴散”。通過雜質(zhì)擴散可以控制導(dǎo)電類型(P結(jié)、N結(jié))之外,還可以用來控制雜質(zhì)濃度以及分布。
現(xiàn)在一般采用離子注入法進行雜質(zhì)擴散,在離子注入機中,將需要摻雜的導(dǎo)電性雜質(zhì)導(dǎo)入電弧室,通過放電使其離子化,經(jīng)過電場加速后,將數(shù)十到數(shù)千keV能量的離子束由晶圓表面注入。離子注入完畢后的晶圓還需要經(jīng)過熱處理,一方面利用熱擴散原理進一步將雜質(zhì)“壓入”硅中,另一方面恢復(fù)晶格完整性,活化雜質(zhì)電氣特性。
離子注入法具有加工溫度低,可均勻、大面積注入雜質(zhì),易于控制等優(yōu)點,因此成為超大規(guī)模集成電路中不可缺少的工藝。
完成離子注入后,可以清除掉選擇性摻雜殘留下來的光刻膠掩模。此時,單晶硅內(nèi)部一小部分硅原子已經(jīng)被替換成“雜質(zhì)”元素,從而產(chǎn)生可自由電子或空穴。
左:硅原子結(jié)構(gòu);中:摻雜砷,多出自由電子;右:摻雜硼,形成電子空穴
11.絕緣層處理
此時晶體管雛形已經(jīng)基本完成,利用氣相沉積法,在硅晶圓表面全面地沉積一層氧化硅膜,形成絕緣層。同樣利用光刻掩模技術(shù)在層間絕緣膜上開孔,以便引出導(dǎo)體電極。
12.沉淀銅層
利用濺射沉積法,在晶圓整個表面上沉積布線用的銅層,繼續(xù)使用光刻掩模技術(shù)對銅層進行雕刻,形成場效應(yīng)管的源極、漏極、柵極。最后在整個晶圓表面沉積一層絕緣層以保護晶體管。
13.構(gòu)建晶體管之間連接電路
經(jīng)過漫長的工藝,數(shù)以十億計的晶體管已經(jīng)制作完成。剩下的就是如何將這些晶體管連接起來的問題了。同樣是先形成一層銅層,然后光刻掩模、蝕刻開孔等精細操作,再沉積下一層銅層......,這樣的工序反復(fù)進行多次,這要視乎芯片的晶體管規(guī)模、復(fù)制程度而定。最終形成極其復(fù)雜的多層連接電路網(wǎng)絡(luò)。
由于現(xiàn)在IC包含各種精細化的元件以及龐大的互聯(lián)電路,結(jié)構(gòu)非常復(fù)雜,實際電路層數(shù)已經(jīng)高達30層,表面各種凹凸不平越來越多,高低差異很大,因此開發(fā)出CMP化學(xué)機械拋光技術(shù)。每完成一層電路就進行CMP磨平。
另外為了順利完成多層Cu立體化布線,開發(fā)出大馬士革法新的布線方式,鍍上阻擋金屬層后,整體濺鍍Cu膜,再利用CMP將布線之外的Cu和阻擋金屬層去除干凈,形成所需布線。
大馬士革法多層布線
芯片電路到此已經(jīng)基本完成,其中經(jīng)歷幾百道不同工藝加工,而且全部都是基于精細化操作,任何一個地方出錯都會導(dǎo)致整片晶圓報廢,在100多平方毫米的晶圓上制造出數(shù)十億個晶體管,是人類有文明以來的所有智慧的結(jié)晶。
三、后工程——從劃片到成品銷售
14.晶圓級測試
前工程與后工程之間,夾著一個Good-Chip/Wafer檢測工程,簡稱G/W檢測。目的在于檢測每一塊晶圓上制造的一個個芯片是否合格。通常會使用探針與IC的電極焊盤接觸進行檢測,傳輸預(yù)先編訂的輸入信號,檢測IC輸出端的信號是否正常,以此確認芯片是否合格。
由于目前IC制造廣泛采用冗余度設(shè)計,即便是“不合格”芯片,也可以采用冗余單元置換成合格品,只需要使用激光切斷預(yù)先設(shè)計好的熔斷器即可。當然,芯片有著無法挽回的嚴重問題,將會被標記上丟棄標簽。
15.晶圓切片、外觀檢查
IC內(nèi)核在晶圓上制作完成并通過檢測后后,就進入了劃片階段。劃片使用的劃刀是粘附有金剛石顆粒的極薄的圓片刀,其厚度僅為人類頭發(fā)的1/3。將晶圓上的每一個IC芯片切劃下來,形成一個內(nèi)核Die。
裂片完成后還會對芯片進行外觀檢查,一旦有破損和傷痕就會拋棄,前期G/W檢查時發(fā)現(xiàn)的瑕疵品也將一并去除。
未裂片的一個個CPU內(nèi)核
16.裝片
芯片進行檢測完成后只能算是一個半成品,因為不能被消費者直接使用。還需要經(jīng)過裝片作業(yè),將內(nèi)核裝配固定到基片電路上。裝片作業(yè)全程由于計算機控制的自動固晶機進行精細化操作。
17.封裝
裝片作業(yè)僅僅是完成了芯片的固定,還未實現(xiàn)電氣的連接,因此還需要與封裝基板上的觸點結(jié)合。現(xiàn)在通常使用倒裝片形式,即有觸點的正面朝下,并預(yù)先用焊料形成凸點,使得凸點與相應(yīng)的焊盤對準,通過熱回流焊或超聲壓焊進行連接。
封裝也可以說是指安裝半導(dǎo)體集成電路芯片用的外殼,它不僅起著安放、固定、密封、保護芯片,還可以增強導(dǎo)熱性能的作用。目前像Intel近些年都采用LGA封裝,在核心與封裝基板上的觸點連接后,在核心涂抹散熱硅脂或者填充釬焊材料,最后封裝上金屬外殼,增大核心散熱面積,保護芯片免受散熱器直接擠壓。
至此,一顆完整的CPU處理器就誕生了。
18.等級測試
CPU制造完成后,還會進行一次全面的測試。測試出每一顆芯片的穩(wěn)定頻率、功耗、發(fā)熱,如果發(fā)現(xiàn)芯片內(nèi)部有硬件性缺陷,將會做硬件屏蔽措施,因此劃分出不同等級類型CPU,例如Core i7、i5、i3。
19.裝箱零售
CPU完成最終的等級劃測試后,就會分箱進行包裝,進入OEM、零售等渠道。
現(xiàn)在進入了科技時代,極度依賴計算機科學(xué)與技術(shù),其中的CPU又是各種計算機必不可少重要部件。暫且不論架構(gòu)上的設(shè)計,僅僅在CPU的制作上就凝聚了全人類的智慧,基本上當今世界上 的工藝、生產(chǎn)技術(shù)、尖端機械全部都投入到了該產(chǎn)業(yè)中。因此半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集知識密集型、資本密集型于一身的高端工業(yè)。
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